En les últimes dècades, el disseny d'implants i la investigació en enginyeria dels implants dentals han avançat molt. Aquests desenvolupaments han fet que la taxa d'èxit dels implants dentals sigui superior al 95% durant més de 10 anys. Per tant, la implantació d'implants s'ha convertit en un mètode molt reeixit per reparar la pèrdua de dents. Amb l'ampli desenvolupament dels implants dentals al món, la gent presta cada cop més atenció a la millora dels mètodes d'implantació i manteniment d'implants. Actualment, s'ha comprovat que el làser pot tenir un paper actiu en la implantació d'implants, la instal·lació de pròtesis i el control d'infeccions dels teixits al voltant dels implants. Els diferents làsers de longitud d'ona tenen característiques úniques, que poden ajudar els metges a millorar l'efecte del tractament amb implants i millorar l'experiència dels pacients.
La teràpia amb implants amb làser de díode pot reduir el sagnat intraoperatori, proporcionar un bon camp quirúrgic i reduir la durada de la cirurgia. Al mateix temps, el làser també pot crear un bon ambient estèril durant i després de l'operació, reduint significativament la incidència de complicacions i infeccions postoperatòries.
Les longituds d'ona comunes del làser de díode inclouen 810 nm, 940 nm,980 nmi 1064 nm. L'energia d'aquests làsers es dirigeix principalment a pigments, com l'hemoglobina i la melaninateixits tous. L'energia del làser de díode es transmet principalment a través de fibra òptica i actua en mode de contacte. Durant el funcionament del làser, la temperatura de la punta de la fibra pot arribar als 500 ℃ ~ 800 ℃. La calor es pot transferir eficaçment al teixit i tallar-se vaporitzant el teixit. El teixit està en contacte directe amb la punta de treball que genera calor i l'efecte de vaporització es produeix en lloc d'utilitzar les característiques òptiques del propi làser. El làser de díode de 980 nm de longitud d'ona té una eficiència d'absorció d'aigua més alta que el làser de 810 nm de longitud d'ona. Aquesta característica fa que el làser de díode de 980 nm sigui més segur i eficaç en aplicacions de plantació. L'absorció de l'ona de llum és l'efecte d'interacció del teixit làser més desitjable; Com millor sigui l'energia absorbida pel teixit, menor serà el dany tèrmic circumdant causat a l'implant. La investigació de Romanos mostra que el làser de díode de 980 nm es pot utilitzar amb seguretat a prop de la superfície de l'implant, fins i tot amb una configuració d'energia més alta. Els estudis han confirmat que el làser de díode de 810 nm pot augmentar la temperatura de la superfície de l'implant de manera més significativa. Romanos també va informar que el làser de 810 nm podria danyar l'estructura superficial dels implants. El làser de díode de 940 nm no s'ha utilitzat en la teràpia d'implants. D'acord amb els objectius tractats en aquest capítol, el làser de díode de 980 nm és l'únic làser de díode que es pot considerar per a l'aplicació en la teràpia d'implants.
En una paraula, el làser de díode de 980 nm es pot utilitzar amb seguretat en alguns tractaments amb implants, però la seva profunditat de tall, velocitat de tall i eficiència de tall són limitades. El principal avantatge del làser de díode és la seva mida petita i el seu baix preu i cost.
Hora de publicació: 10-maig-2023