En les últimes dècades, la investigació de disseny i enginyeria d’implants d’implants dentals han avançat molt. Aquests desenvolupaments han fet que la taxa d’èxit dels implants dentals sigui més del 95% durant més de 10 anys. Per tant, la implantació d’implant s’ha convertit en un mètode molt reeixit per reparar la pèrdua de dents. Amb l’ampli desenvolupament d’implants dentals al món, les persones presten més i més atenció a la millora dels mètodes d’implantació i manteniment d’implantació. Actualment, s’ha demostrat que el làser pot tenir un paper actiu en la implantació d’implantació, la instal·lació de pròtesis i el control de la infecció dels teixits al voltant dels implants. Diferents làsers de longitud d’ona tenen característiques úniques, cosa que pot ajudar els metges a millorar l’efecte del tractament d’implant i a millorar l’experiència dels pacients.
La teràpia d’implant assistida per làser del díode pot reduir l’hemorràgia intraoperatòria, proporcionar un bon camp quirúrgic i reduir la durada de la cirurgia. Al mateix temps, el làser també pot crear un bon entorn estèril durant i després de l’operació, reduint significativament la incidència de complicacions i infeccions postoperatòries.
Les longituds d'ona comunes del làser del díode inclouen 810nm, 940nm,980nmi 1064nm. L’energia d’aquests làsers s’adreça principalment als pigments, com l’hemoglobina i la melanina ateixits tous. L’energia del làser del díode es transmet principalment mitjançant fibra òptica i actua en mode de contacte. Durant el funcionament del làser, la temperatura de la punta de la fibra pot arribar a 500 ℃ ~ 800 ℃. La calor es pot transferir eficaçment al teixit i tallar -la vaporitzant el teixit. El teixit està en contacte directe amb la punta de treball generador de calor i l'efecte de vaporització es produeix en lloc d'utilitzar les característiques òptiques del propi làser. El làser de díode de longitud d’ona de 980 nm té una major eficiència d’absorció per a l’aigua que el làser de longitud d’ona de 810 nm. Aquesta característica fa que el làser de díode de 980nm sigui més segur i eficaç en les aplicacions de plantació. L’absorció d’ona lleugera és l’efecte d’interacció del teixit làser més desitjable; Com millor sigui l’energia absorbida pel teixit, menys danys tèrmics circumdants causats a l’implant. La investigació de Romanos demostra que el làser de díode de 980nm es pot utilitzar de forma segura a prop de la superfície de l’implant fins i tot en un entorn d’energia més elevat. Els estudis han confirmat que el làser de díode de 810nm pot augmentar la temperatura de la superfície de l’implant de manera més significativa. Romanos també va informar que el làser de 810nm podria danyar l'estructura superficial dels implants. El làser de díodes de 940nm no s'ha utilitzat en teràpia d'implant. A partir dels objectius comentats en aquest capítol, el làser de díode de 980nm és l’únic làser de díode que es pot considerar per aplicar en teràpia d’implant.
En una paraula, el làser de díode de 980nm es pot utilitzar de forma segura en alguns tractaments d’implant, però la seva profunditat de tall, la velocitat de tall i l’eficiència de tall són limitades. L’avantatge principal del làser de díodes és la seva mida petita i el seu baix preu i cost.
Hora de la publicació: 10-2023 de maig