En les últimes dècades, el disseny d'implants i la investigació en enginyeria d'implants dentals han fet grans progressos. Aquests desenvolupaments han fet que la taxa d'èxit dels implants dentals sigui superior al 95% durant més de 10 anys. Per tant, la implantació d'implants s'ha convertit en un mètode molt reeixit per reparar la pèrdua de dents. Amb l'àmplia implantació dental al món, la gent presta cada cop més atenció a la millora dels mètodes d'implantació i manteniment d'implants. Actualment, s'ha demostrat que el làser pot tenir un paper actiu en la implantació d'implants, la instal·lació de pròtesis i el control d'infeccions dels teixits al voltant dels implants. Els làsers de diferents longituds d'ona tenen característiques úniques, que poden ajudar els metges a millorar l'efecte del tractament amb implants i l'experiència dels pacients.
La teràpia d'implants assistida per làser de díode pot reduir el sagnat intraoperatori, proporcionar un bon camp quirúrgic i escurçar la durada de la cirurgia. Alhora, el làser també pot crear un bon entorn estèril durant i després de l'operació, reduint significativament la incidència de complicacions i infeccions postoperatòries.
Les longituds d'ona comunes dels làsers de díode inclouen 810 nm, 940 nm,980 nmi 1064 nm. L'energia d'aquests làsers es dirigeix principalment als pigments, com ara l'hemoglobina i la melaninateixits tousL'energia del làser de díode es transmet principalment a través de fibra òptica i actua en mode de contacte. Durant el funcionament del làser, la temperatura de la punta de la fibra pot arribar als 500 ℃ ~ 800 ℃. La calor es pot transferir eficaçment al teixit i tallar-lo vaporitzant-lo. El teixit està en contacte directe amb la punta de treball generadora de calor i l'efecte de vaporització es produeix en lloc d'utilitzar les característiques òptiques del propi làser. El làser de díode de longitud d'ona de 980 nm té una eficiència d'absorció d'aigua més alta que el làser de longitud d'ona de 810 nm. Aquesta característica fa que el làser de díode de 980 nm sigui més segur i eficaç en aplicacions de plantació. L'absorció de l'ona de llum és l'efecte d'interacció del làser amb el teixit més desitjable; com millor sigui l'energia absorbida pel teixit, menor serà el dany tèrmic circumdant causat a l'implant. La investigació de Romanos demostra que el làser de díode de 980 nm es pot utilitzar amb seguretat a prop de la superfície de l'implant, fins i tot a una configuració d'energia més alta. Els estudis han confirmat que el làser de díode de 810 nm pot augmentar la temperatura de la superfície de l'implant de manera més significativa. Romanos també va informar que el làser de 810 nm podria danyar l'estructura superficial dels implants. El làser de díode de 940 nm no s'ha utilitzat en la teràpia d'implants. Basant-nos en els objectius tractats en aquest capítol, el làser de díode de 980 nm és l'únic làser de díode que es pot considerar per a l'aplicació en la teràpia d'implants.
En una paraula, el làser de díode de 980 nm es pot utilitzar amb seguretat en alguns tractaments d'implants, però la seva profunditat de tall, velocitat de tall i eficiència de tall són limitades. El principal avantatge del làser de díode és la seva petita mida i el seu baix preu i cost.
Data de publicació: 10 de maig de 2023